Båda typerna av sensorer har sina fördelar.
Rent generellt och förenklat brukar man säga att CMOS är lätt att tillverka, billig och strömsnål, dock svår att få fri från bildbrus.
CCD är beprövad teknik som relativt enkelt ger mycket bra bilder men den är mer komplicerad att tillverka. Dock ska sägas att allt detta håller på att ändras i takt med att utvecklingen går frammåt, tex. har man lyckats minska bruset drastiskt i nyare CMOS sensorer.
Vad gäller större sensorer, de är svårare att tillverka. I takt med att ytan ökar så ökar även risken för fel vid tillverkningen. Sen leder den större ytan till att det får plats färre antal sensorer på varje wafer, vilket gör att de blir dyrare att tillverka. Mig veteligen är de största wafer-skivorna i produktion 12 tum i dag, för ett par år sedan 8 tum. Rätta mig gärna.
Så här skrev jag i en annan tråd...
Man kan inte direkt jämföra en CMOS microprocessor och en CMOS bildsensor. CMOS är i detta fall (bildsensor) främst en tillverkningsteknik. Till skillnad från CCD-sensorer kan man tillverka CMOS-bildsensorer i vanliga halvledarfabriker på vanliga wafers (sådana runda blanka skivor) som sen skärs upp till separata bildsensorchip och placeras i kretskapslar. Billigt, enkelt och lätt att massproducera.
CMOS sensorn och CCD-sensorn fångar ljuset på ungefär samma sätt med hjälp av celler som omvandlar ljus till elektroner. Men sen skiljer själva avläsningen av den ackumulerade laddningen i bildcellen och konverteringen till elektriska signaler sig åt.
Mycket förenklat, CMOS använder flera transistorer i varje bildcell för att läsa av laddningen och sen transportera signalen vidare. I en CCD-sensor transporteras värdet på laddningen i bildcellen av själva sensorn till sidan av den där en Analog/Digital-omvandlare gör om varje bildcells (pixel) elekriska värde till ett digitalt värde.
Hoppas jag inte är för luddig...
Jag sysslar normalt med maskinteknik...inte halvledarteknik. Så rätta mig gärna om jag har fel.
/Dan